產業價值鏈資訊平台-資料(單欄)

年度	重要紀事
97年03月	公司核准設立登記，實收新台幣5,000 仟元。公司現金增資50,000 仟元，實收新台幣55,000 仟元。
97年07月	公司現金增資145,000 仟元，實收新台幣200,000 仟元。
97年07月	發表應用於高階主機板CPU/GPU電源管理之Vcore成對T1-25VN MOSFET產品，並通過客戶驗證使用。
97年07月	發表應用於筆記型電腦CPU/GPU電源管理之Vcore成對T1-30VN MOSFET產品，並通過客戶驗證使用。
97年07月	推出應用於主機板與筆記型電腦等電池電源管理之T1-30VP MOSFET系列產品，並獲得客戶認證採用。
97年07月	發表使用於LCD CCFL背光模組成對之T1-40VN與T1-40VP MOSFET系列產品，並通過客戶驗證採用。
97年09月	發表T1-20VN MOSFET系列產品，並通過客戶驗證使用。
97年09月	完成應用於LCD CCFL背光模組成對之T1-60VN與T1-60VP MOSFET系列產品，並通過客戶驗證採用。
97年10月	成功推出應用於高階筆記型電腦與高階圖形顯示卡之DFN5X6封裝30VN MOSFET系列產品。
97年10月	應用於電動機車馬達驅動電源控制之T1-75VN MOSFET系列產品開發完成，並通過客戶驗證。
97年10月	發表應用於車用市場及手電動工具使用之T1-100VN MOSFET系列產品，並取得客戶驗證與採用。
97年10月	成功推出平面式高電壓P1-500VN HV MOSFET系列產品。
97年10月	成功推出平面式高電壓P1-600VN MOSFET及P1-650VN HV MOSFET系列產品。
97年10月	通過SGS ISO 9001認證。
97年11月	發表T1-20VP MOSFET系列產品，並通過客戶驗證使用。
97年11月	成功完成特殊客戶需求車用市場與手電動工具使用之低閘極導通電壓T1-150VN low Vth MOSFET產品，以及常規T1-150VN MOSFET系列產品，並通過客戶驗證使用。
98年02月	成功推出平面式高電壓P1-700VN HV MOSFET系列產品。
98年04月	開發完成T1-100VP MOSFET，並將其與T1-100VN MOSFET共同搭配，整合於單一封裝內應用於馬達驅動控制開關。
98年05月	成功推出DFN3X3封裝之30VN MOSFET系列產品，以更佳之散熱能力與更小的所需PCB版佔用面積，提供客戶優質的方案取代舊有SOP-8封裝，獲得客戶驗證認同並廣泛應用。
98年05月	發表應用於車用市場使用之T1-200VN MOSFET系列產品，並取得客戶驗證與採用。
98年07月	使用於LED背光模組之T1-80VN MOSFET系列產品成功完成開發，並獲得客戶驗證採用。
98年08月	開發完成低閘極導通電壓之30VN low Vth MOSFET，應用於可攜式產品所需SOT-23及SC-70等微小化封裝。
98年11月	公司現金增資50,000 仟元，實收新台幣250,000 仟元。
99年01月	開發完成低閘極導通電壓之30VP low Vth MOSFET，應用於可攜式產品所需SOT-23及SC-70等微小化封裝。
99年06月	量產300毫安培、2安培以及3安培低壓降線性穩壓器。
99年07月	公司現金增資17,000 仟元，實收新台幣267,000仟元。
99年09月	量產降壓切換式穩壓器，可提供同步模式與單獨模式操作。
99年10月	推出使用於LED背光模組之T1-250VN MOSFET系列產品，並獲得客戶驗證採用。
99年12月	成功推出平面式高電壓P1-800VN HV MOSFET系列產品。
99年12月	成功推出平面式高電壓P1-900VN HV MOSFET系列產品。
99年12月	量產30W AC/DC 切換式穩壓器，超低啟動電流<6uA為業界最低。
100年03月	量產30W AC/DC 切換式穩壓器，無載損耗低於100m瓦。
100年03月	量產LED應用電流模式切換式穩流器，為台灣第一家針對LED短路做完整保護的高壓降壓控制IC。
100年06月	量產90W AC/DC切換式穩壓器，內建500V超高壓啟動，無載損耗低於50mW。
100年06月	量產降壓切換穩壓器，內建上端功率電晶體。
100年10月	公司盈餘及員工紅利轉增資11,271仟元，實收新台幣278,271仟元。
100年12月	量產90W AC/DC切換式穩壓器，內建700V超高壓啟動電晶體與700V超高壓功率電晶體。
101年02月	順利量產微小化DFN2X2封裝之MOSFET系列產品。
101年06月	量產DDR3線性穩壓器，並通過客戶認證使用。
101年08月	公司盈餘及員工紅利轉增資21,729仟元，實收新台幣300,000仟元。
101年09月	股票公開發行。
101年10月	發表薄型PWM控制器具備外部可調式電壓輸入，並通過客戶認證使用。
101年12月	登錄興櫃股票買賣。
101年12月	發表薄型1安培及3安培高精準低壓降線性穩壓器，並通過客戶認證使用。
101年12月	通過SGS ISO 14001認證。
102年01月	開發完成G3-30VN MOSFET產品系列，進一步降低寄生電容、低切換功耗之系列MOSFET。
102年01月	通過SGS IECQ QC080000認證。
102年03月	隨著節能要求同步整流架構之演進，開發完成G2-100VN低寄生電容、低切換功耗之系列MOSFET。
102年04月	量產LED高精準電流, 高功率因素切換式穩流器。
102年04月	量產30W AC/DC 切換式穩壓器，具備外部過溫保護功能。
102年05月	量產30W AC/DC 切換式穩壓器，具備掉電保護功能。
102年06月	隨著節能要求同步整流架構之演進，開發完成G2-60VN低寄生電容、低切換功耗之系列MOSFET。
102年09月	公司盈餘及員工紅利轉增資9,405仟元，實收新台幣 309,405仟元。
102年10月	公司發行限制員工權利新股15,000仟元，實收新台幣324,405仟元。
103年03月	完成100V TMBS系列Low VF/Low IR Trench Schottky產品量產建置，提供客戶最佳之能源轉換效率。
103年04月	公司子公司成立，分別為鼎巨有限公司及鼎巨投資有限公司。
103年06月	公司收回註銷限制員工權利新股880仟元，實收新台幣323,525仟元。
103年08月	完成45V/50V TMBS系列Low VF/Low IR Trench Schottky產品量產建置，提供客戶最佳之能源轉換效率。
103年09月	公司決議購置辦公室廠房。
103年10月	公司轉投資設立大陸深圳杰頂科技有限公司。
103年10月	發表應用於PAD/Cell Phone電源管理之0.8umx0.8um WLCSP極微小封裝產品，並通過客戶驗證。
103年12月	公司辦理經濟部營業地址變更為新竹縣竹北市台元街22號4樓之1。
103年12月	公司收回註銷限制員工權利新股3,504仟元，實收新台幣320,021仟元。
103年12月	成功開發600VN/650VN HV SJ-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
104年02月	3 安培，低壓直流轉換器EM5841 / EM5843 開發完成並且導入量產。
104年02月	完成120V TMBS系列Low VF/Low IR Trench Schottky產品量產建置，提供客戶最佳之能源轉換效率。
104年03月	超低導通電壓負載開關EM5201，開發完成並且導入量產。
104年05月	具為X電容放電功能， ACDC控制器EM8599，開發完成並且導入量產。
104年05月	隨著節能要求同步整流架構之演進，開發完成G2-80VN低寄生電容、低切換功耗之系列MOSFET。
104年09月	3安培線性穩壓器EM5108，開發完成並且導入量產。
104年09月	低導通電壓, 低成本, 負載開關EM5202, 開發完成並且導入量產。
104年10月	取得美國發明專利證書US9,153,652B2 - POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND EDGE TERMINAL STRUCTURE THEREOF INCLUDING AN L-SHAPED ELECTRIC-PLATE。
104年12月	成功開發30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
104年12月	公司收回註銷限制員工權利新股3,832仟元，實收新台幣316,189仟元。
105年01月	成功開發低阻抗 60mOhm 逆偏電壓保護之USB Switch 控制器。
105年01月	低阻抗 (45mOhm )大電流(2.5A~3.4A) Type C UBS Switch 控制器。
105年03月	開發完成並且導入量產2A高效率直流轉換器。
105年05月	成功開發40VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
105年07月	取得美國發明專利證書US9,502,511B2 - TRENCH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND EDGE TERMINAL STRUCTURE INCLUDING AN L-SHAPED ELECTRIC PLATE CAPABLE OF RAISING A BREAKDOWN VOLTAGE。
105年08月	中華徵信所調查為排名全台第59名積體電路設計業者。
105年09月	成功開發60VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
105年09月	開發完成並且導入量產高效率高積體化電源多工切換開關。
105年09月	開發完成並且導入量產單通道低靜態功耗2A電源開關保護IC。
105年09月	開發完成並且導入量產1安培外部可調低靜態功耗電壓線性穩壓器。
105年11月	成功開發100VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
105年11月	獲頒財政部關務署台北關核定為海關認證合格優質企業。
105年12月	成功開發具狀態偵測功能的3A線性穩壓IC。
105年12月	公司收回註銷限制員工權利新股4,629仟元，實收新台幣311,560仟元。
106年03月	成功開發80VN S.G-MOSFET，提供電源轉換器高能效低溫昇之轉換元件。
106年04月	成功開發出200mA/500mA 具逆電壓保護功能USB Switch並通過UL安規認証。
106年04月	開發完成具快速開關機及逆流回復Power Switch(電源多工切換)，符合Power Mux應用。
106年05月	取得美國發明專利證書US9,659,921B2 - POWER SWITCH DEVICE。
106年05月	取得美國發明專利證書US9,653,560B1 - METHOD OF FABRICATING POWER MOSFET。
106年05月	成功開發低阻抗0.85 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
106年06月	開發完成2A，高速PWM DC/DC轉換器，符合外部低電感及電容值應用。
106年08月	中華徵信所調查為排名全台第57名積體電路設計業者。
106年08月	取得台灣發明專利證書M547757-功率晶片及其電晶體結構。
106年09月	取得美國發明專利證書US9,761,464B1- POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF。
106年09月	開發完成適用於電視及顯示器使用高壓開關控制IC。
107年01月	公司現金增資41,550 仟元，實收新台幣353,110 仟元。
107年02月	取得台灣發明專利證書I615889 - 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法。
107年03月	成功開發低阻抗DFN3X3封裝1.8 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
107年03月	開發完成並且導入量產3A高效率快速暫態反應低壓直流轉換器。
107年03月	開發完成可程式緩啟動時間之高壓開關控制器。
107年04月	取得美國發明專利證書US9,941,357B2 - POWER MOSFET。
107年04月	開發完成150mA高壓低靜態電流之線性穩壓器。
107年05月	成功開發DFN5X6 Dual chips低阻抗N1_2.5 mohm + N2_0.85 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
107年06月	開發完成並且導入量產2A高效率快速暫態反應低待機電流直流轉換器。
107年07月	成功開發DFN5X6 Dual chips低阻抗N1_5 mohm + N2_2 mohm / 30VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
107年07月	成功開發出低阻抗60mOhm 1A/1.5A具逆電壓保護功能USB Switch。
107年08月	成功開發低阻抗DFN3X3封裝2.9 mohm / 40VN S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
107年08月	中華徵信所調查為排名全台第42名積體電路設計業者。
107年08月	榮獲2018年D＆B TOP 1000中小企業精英獎證書。
107年12月	取得台灣發明專利證書I643253 - 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法。
107年12月	成功開發出低阻抗30mOhm 5A/20V ,具逆電壓保護功能,符合USB PD 切換開關應用及高壓電源切換開關使用。
108年02月	電壓轉換器控制方法及電路設計。
108年04月	成功開發出高壓電源開關具軟啟動及電源監控功能。
108年06月	成功開發下一代低閘極電阻30VN MOSFET，提供高速切換之轉換元件。
108年07月	中華徵信所調查為排名全台第40名積體電路設計業者。
108年08月	獲選為經濟部工業局第5屆潛力中堅企業
108年08月	獲選為2019《天下雜誌》快速成長企業一百強
108年08月	成功開發出具電源偵測低功耗線性穩壓器。
108年08月	成功開發低成本,高轉換效率通用型電源開關。
108年08月	獲選為2019《富比士雜誌》亞洲最佳中小上市企業。
108年08月	獲選數位時代雜誌2019台灣「高價值企業100強」。
108年09月	成功開發下一代低FOM 55mohm*nQ S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
108年10月	取得美國發明專利證書US10,388,784B2 - POWER CHIP AND STRUCTURE OF TRANSISTOR。
108年11月	成功開發低顯卡高壓大電流直流轉換器。
108年11月	電壓轉換器的穩定度補償控制方法及電路設計。
108年11月	取得台灣發明專利證書I679770 - 氮化鎵高電子移動率電晶體及其閘極結構。
108年12月	成功開發高功率250W / 60VN S.G-MOSFET，提供高供率低溫昇之轉換元件。
108年12月	成功開發出具快速啟動低轉換損及電源監控功能電源開關。
109年1月	成功開發低導通電阻共汲極30VN MOSFET，提供雙向保護切換之轉換元件。
109年1月	取得台灣發明專利證書[I683516] 電源開關電路。
109年3月	成功開單通道低成本切換開關。
109年5月	獲天下雜誌評選為2020年『天下雜誌2000大』第1084名。
109年5月	獲選數位時代雜誌2020台灣「高價值企業100強」。
109年5月	開發完成1A高效率快速暫態反應低待機電流直流轉換器。
109年6月	成功開發低導通電阻100VN 2mOhm S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
109年6月	取得美國發明專利證書[US10,693,453B1]電源開關電路。
109年7月	中華徵信所調查為排名全台第37名積體電路設計業者。
109年8月	獲選為2020《富比士雜誌》亞洲最佳中小上市企業。
109年8月	成功開發30VN Driver MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
109年8月	成功開發雙通道快速啟動及低阻抗電源切換開關。
109年9月	成功開發下一代低FOM 40mohm*nQ S.G-MOSFET，提供高能效低溫昇之轉換元件。
109年10月	取得美國發明專利證書US10,784,366B2 - GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF。
109年10月	取得台灣發明專利證書[I708464]:電源電路。
109年11月	成功開發顯示卡之低壓高效率直流轉換器。
109年11月	取得美國發明專利證書[US10,826,288B1]:電源電路。
109年11月	取得美國發明專利證書[US10,826,491B1]負載開關的控制電路。
109年12月	成功開發出雙通道低導通阻抗,高準確性電流保護開關控制器。