| 日期 | 集團及公司沿革之重要記事 |
| 1999年 1月 | IET-US開始營業, 主要營業項目為高附加值假型高電子遷移電晶體(pHEMT), 異質接面雙極電晶體(HBT), 以及用於光纖通訊之磊晶片 |
| 2000年 8月 | Vitesse Semi公司使用IET-US成長之4吋磷化銦磊晶片, 成功生產出第一顆商用積體電路 |
| 2001年 6月 | IET-US建置新廠房於Richardson, Texas, USA |
| 2002年 2月 | IET-US榮獲2001/2002年間世界最大的III-V半導體公司, Vitesse Semi公司, 頒發2001年度最佳供應商獎(其後於2002, 2003, 2004年亦獲此殊榮) |
| 2003年 9月 | IET-US建置世界最大之多晶圓量產型分子束磊晶機台(MBE, 7片x6吋晶圓),達到月產能10,000片4吋磊晶片 |
| 2004年 7月 | IET-US成功通過M/A-COM公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為合格供應商 |
| 2006年 5月 | IET-US成功通過A公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為唯一的合格供應商 |
| 2007年 2月 | IET-US獲得ISO 9001- 2000品質管理系統認證 |
| 2009年 1月 | IET-US榮獲美國政府計劃以分子束磊晶(MBE)技術開發III-V半導體紅外線偵測磊晶結構 |
| 2009年 4月 | IET-China成功做出銻化鎵/銻化銦磊晶等級基板提供母公司以MBE成長紅外線磊晶片 |
| 2009年12月 | IET-US成功以分子束磊晶(MBE)技術成長III-V半導體紅外線偵測磊晶結構 |
| 2010年10月 | 成立IET-Japan以服務主要客戶 |
| 2010年10月 | IET-US榮獲美國政府計劃以開發尖端銻化鎵紅外線偵測磊晶結構於大尺寸基板 |
| 2011年 1月 | IET-US榮獲2010年世界最大的III-V半導體整合設計製造公司A公司，頒發2010年度最佳供應商獎(假型高電子遷移電晶體(pHEMT)準時供應，零缺點，優良客戶支援服務) |
| 2011年 3月 | IET-US MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過14GHz可靠度測試 |
| 2011年 4月 | 成立本公司作為集團之控股公司 |
| 2011年 7月 | IET-US承租在Allen, Texasㄧ個大面積無塵室做為二廠之用，並成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒 |
| 2011年 9月 | IET-China也成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒 |
| 2012年 5月 | 與H公司簽訂長期供貨合約 |
| 2012年 6月 | MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過28GHz可靠度測試 |
| 2013年 7月 | 本公司於台灣第一上櫃 |
| 2013年 8月 | 成功自行開發銻化鎵基板拉晶、研磨、拋光技術 |
| 2013年12月 | 與法商Soitec簽署合作協議，包含技術授權及生產機台的轉讓 |
| 2014年 2月 | IET-US承租在Richardson, Texas三廠作為新基板材料開發之用 |
| 2014年 7月 | 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債 |
| 2014年 9月 | IET-US簽署並完成與法國SOITEC公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約 |
| 2014年 9月 | IET-US購買位於美國德州Allen市用於增建廠房土地 |
| 2014年11月 | IET-US簽署並完成與A公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約 |
| 2015年 1月 | IET-China成功成長出第一支4吋銻化銦晶棒 |
| 2015年 3月 | IET-US於Arapho, Richardson三廠建廠完成。MBE-11開始生產磷化銦磊晶片 |
| 2015年 4月 | IET-US榮獲多項美國政府計畫開發多片大尺寸銻化鎵紅外線偵測器磊晶技術 |
| 2015年 5月 | IET-China 廠成功長出第一支5吋銻化銦晶棒 |
| 2015年 8月 | IET-US與H公司成功開發出先進InP HBT技術並進行量產交貨 |
| 2015年12月 | IET-China工廠開發出低摻雜濃度(<1E15 cm-3)的5吋InSb晶棒 |
| 2016年 2月 | 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債全數轉換 |
| 2016年 3月 | A公司第一次完成6吋InP HBT完整製程，使用的是IET-US 提供的磊晶片 |
| 2016年 7月 | IET-US 成功開發出高均勻性(<3 nm) 6吋面射型雷射(VCSEL) |
| 2016年 9月 | IET-US Ridgemont, Allen新廠破土，開始興建 70,000 平方尺廠房 |
| 2016年 10月 | E公司使用IET-US 量產之InP PIN推出56Gbps Data Center 高速元件 |
| 2017年 1月 | IET-China開始第二生產線進行2，3，4吋銻化鎵基板拉晶 |
| 2017年 1月 | US Allen二廠租約延長至Allen新廠完工 |
| 2017年 2月 | IET-US 5吋銻化鎵基板開始量產，完成6吋銻化銦基板開發 |
| 2017年 4月 | IET-US Ridgemont, Allen新廠道路(Ridgemont Drive)擴建開工 |
| 2017年 9月 | IET-China廠成功長出第一支n+銻化鎵晶棒 |
| 2017年 12月 | IET-US Ridgemont Allen新廠廠房完工,開始搬遷MBE及 拉晶機台 |
| 2018年 2月 | B公司完成1.5-2µm InP生物辨識雷射製程，使用的是IET-US 提供的磊晶片 |
| 2018年 3月 | 日本一APD 團隊使用IET-US 磊晶片獲得該公司Device Innovation Center award |
| 2018年 3月 | 與法商Riber簽署合作協議，開發下世代MBE量產機台 |
| 2018年 10月 | B公司使用IET-US 提供的GaSb磊晶片進行開發2-2.4µm生物辨識雷射製程 |
| 2019年 1月 | C公司成功開發超高速無線光通器件，製程使用IET-US 提供的6吋砷化鎵磊晶片 |
| 2019年 3月 | IET-US突破磷化銦雷射波長限制，推出超長波長磊晶片 |
| 2019年 6月 | 與V公司簽署合作協議，開發MBE氮化鎵磊晶片及量產機台 |
| 2019年 9月 | 與美AB公司簽署合作，開發下世代高密度面射型雷射(VCSEL)磊晶片 |
| 2020年 1月 | 與美公司合作開發1.3 µm面射型雷射(VCSEL)磊晶片 |
| 2020年 3月 | 與H公司簽署約，裝置in situ金屬蒸鍍機台，共同開發下世代InP HBT技術 |